Até ao momento, as memórias do tipo GDDR6 (Graphics Double Data Rate 6) têm sido a escolha dos principais fabricantes de placas gráficas, por oferecerem a relação perfeita entre capacidade e desempenho. A grande maioria das placas de última geração utiliza este tipo de memória, excepto os modelos de topo da Nvidia, que utilizam uma variante ligeiramente mais rápida, a GDDR6X.
Temos assim as memórias GDDR6, que estão disponíveis em modelos de 16 Gigabits de capacidade por chip, até 32 contactos de ligação I/O e uma largura de banda máxima de 21 Gbps, valor esse que chegou aos 24 Gbps com as memórias GDDR6X, utilizadas em exclusivo pelas GeForce RTX da série 30 e 40.
Hoje a Samsung deu a conhecer as novas GDDR6W, uma solução que promete duplicar a capacidade e o desempenho comparativamente a um chip de memória GDDR6 equivalente. Estas memórias recorrem à aplicação de uma segunda camada de memória DRAM, uma solução similar à aplicada pela tecnologia 3D V-Cache da AMD, mas existem diversas melhorias e novidades importantes.
Para além de introduzirem novas memórias DRAM, que permitem assim duplicar a capacidade de 16 para 32 Gigabits, é duplicado o número de ligações I/O de 32 para 64 contactos, o que permite duplicar igualmente a largura de banda de comunicação entre as memórias e o controlador de memória integrado no GPU da placa gráfica.
Para além disso, a Samsung decidiu aplicar substrato semicondutor entre as camadas de memórias DRAM, em vez de uma placa de circuitos integrados, o que permite reduzir a dimensão do chip de memória em 36%, face a um chip GDDR6 de camada simples equivalente. A Samsung designa esta solução de FOWLP (Fan-Out Wafer-Level Packaging).
Esta solução permitirá reduzir o espaço necessário numa placa gráfica para a mesma capacidade de memória, simplificando o controlador de memória e o barramento, pois a duplicação da largura de banda permitirá compensar esse campo. Para quem quiser maior desempenho, estas memórias GDDR6X conseguirão oferecer uma largura de banda equivalente às mais dispendiosas HBM2E (High Bandwith Memory).
GDDR6 | GDDR6W | HBM2E | |
Número de contactos | 256 | 512 | 4096 |
Velocidade de transmissão por contacto | 16 Gbps | 22 Gbps | 3.2 Gbps |
Largura de banda máxima | 512 GB/s | 1.4 TB/s | 1.6 TB/s |